上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源应用于磁控共溅镀设备 Co-sputter 实现高质量的复合式薄膜!
磁控共溅镀主要用于复合金属或复合材料, 通过分别优化每一支磁控溅镀枪 (靶材) 的功率来控制薄膜质量, 其薄膜厚度取决于溅镀时间.
特殊系统设计的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 为客户提供更好质量的复合式薄膜.

溅镀腔中, 有单片和多片式的 loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间.

----------------------------------- 上海伯东美国 KRI 离子源安装于溅镀腔中 -------------------------------------

通过使用上海伯东 KRI 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
溅镀腔中在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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上海伯东: 叶小姐                                                台湾伯东: 王小姐
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KRi 离子源应用于磁控共溅镀设备 Co-sputter