2026-01-27 更新
阅读数 : 53
KRi 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter
上海伯东代理美国 KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter, 通过使用 KRI 射频离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 膜基附着力更好, 膜层不易脱落.
多层膜的结构广泛用于各个领域, 而对于精密系统则需要更严格的规格, 包括光, 声音和电子组件. 在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中, 高质量多层膜的作用变得越来越重要. 因此, 新材料的开发和薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的重要方向. 特殊设计的多层膜磁控溅镀系统拥有基板公自转机构, 可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产.
.jpg)
多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter 载台可公自转或定在靶材位置自转
上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:
|
型号 |
|||||
|
Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
22 cm Φ |
38 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
||||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 叶小姐 台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 ) T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400
现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
推荐搭配
