2026-01-26 更新

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什么是等离子? KRi 如何创造它, 我们用它做什么?

什么是等离子? KRi 如何创造它, 我们用它做什么?
等离子: 一种带电气体. 等离子是通过从气体中移除一个或多个电子而产生的. 我们通过与原子的碰撞将电子从目标气体中撞出来移除这些电子.

创造等离子: 来自 KRi 官网文章中的  KRi RF 2100 ICP 离子源图像显示了等离子的创造过程. 选择 KRi RF 2100 ICP 是因为它比 RFICP 射频离子源更能显示出等离子的创造过程.

我们如何创造出等离子?

第一步: 为了使点火更容易, KRi 创造了额外的电子来加速进入原子.
高温灯丝被加热至电子溢出. 为后续电离提供"种子"
图中所示的灯丝是如此之热, 以至于电子都从上面溢出来了!
KRI 离子源

第二步: 气体电离与激发. 我们将氩气注入放电室, 并使用振荡电磁波来移动氩气和电子. 来自灯丝的自由电子比氩原子轻得多, 因此高速移动. 当一个自由电子撞击氩原子上的一个电子时, 它可以把它撞散. 碰撞的能量使氩等离子发出紫色的光.
KRi 离子源

第三步: 现在这个过程是自我维持的, 当电离达到临界点, 不需要额外的电子亦可稳定维持, 灯丝被关闭.
KRi离子源


我们用 KRi 等离子做什么?
氩离子以特定的速度运动. 这些离子从源的开放端流出, 这些具备特定速度的离子束流可以用于在镀膜工艺之前对材料进行原子级别的清洁(通过轰击-将原子从表面上去除)或在镀膜工艺之后使薄膜更致密(足够用力地撞击原子以将它们向下推并消除薄膜层中的间隙).

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解 KRi 离子源 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 叶小姐                                                 台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                                         F: +886-3-567-0049
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