KRI 考夫曼离子源 RPICP 140
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KRI 考夫曼离子源 RPICP 140

KRI 考夫曼离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源,非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.

KRI 考夫曼离子源 RFICP 140 技术参数:

型号

RFICP 140 / RFICP 140L

供电

RF 射频感应耦合

 - 阴极灯丝

-

 - 射频功率

1 KW

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用

 -栅极直径

14 cm

中和器

LFN 2000

电源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 阴极中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

9.8'

 - 直径

9.8'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

8-36”

 - 自动控制

控制4种气体

KRI 考夫曼离子源 RFICP 140 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

 

 

 

 

 

 

 

 

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