射频离子源 RFICP 140
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射频离子源 RFICP 140

KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准型号的 RFICP 140 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.

射频离子源 RFICP140

KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

阳极

电感耦合等离子体
1kW & 1.8 MHz
射频自动匹配

最大阳极功率

1kW

最大离子束流

> 500mA

电压范围

100-1200V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-40sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

14cm Φ

栅极材质

钼, 石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000 or RFN

高度

25.1 cm

直径

24.6 cm

锁紧安装法兰

12”CF


KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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