KRI 考夫曼离子源 RFICP 100
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KRI 考夫曼离子源 RFICP 100

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 技术参数:

型号

RFICP 100

供电

RF 射频感应耦合

 - 阴极灯丝

-

 - 射频功率

1 KW

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用

 -栅极直径

10 或 12 cm

中和器

LFN 2000

电源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 阴极中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

9.25'

 - 直径

7.52'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-18”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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