霍尔离子源 eH 3000
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霍尔离子源 eH 3000

KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
水冷 - 加速冷却
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数

型号

eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

50-250V VDC

  - 离子源直径

~ 7 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-25020A

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

 - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

 - 水冷

前板水冷

 - 底座

移动或快接法兰

 - 高度

4.0'

 - 直径

5.7'

 - 加工材料

金属
电介质
半导体

 - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

 - 安装距离

16-45”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架;

KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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