KRI 考夫曼离子源 KDC 100
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KRI 考夫曼离子源 KDC 100

KRI 考夫曼离子源 KDC 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:

型号

KDC 100

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

12 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

9.25'

 - 直径

7.6'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

8-36”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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