KRI 霍尔离子源 eH 400
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KRI 霍尔离子源 eH 400

KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国原装进口KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流,霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统,可以控制较低的离子能量, 适用于像塑胶镜片等脆弱的材料和 III-V 族半导体材料 (III-V compound). 典型应用离子辅助沉积工艺. 原位预清洗和低能离子刻蚀工艺.

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号

eH 400 / eH 400 LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

 - 离子源直径

~ 4 cm

 - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

3.0'

  - 直径

3.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

6-30”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD

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