KRI 考夫曼离子源 RFICP 220
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KRI 考夫曼离子源 RFICP 220

KRI 考夫曼离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源,适用于离子溅镀,离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 离子源 RFICP 220 配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.

KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 技术参数:

型号

RFICP 220

供电

RF 射频感应耦合

 - 阴极灯丝

-

 - 射频功率

2 KW

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用,自对准

 -栅极直径

22 cm

中和器

LFN 2000

电源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 阴极中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

11.8'

 - 直径

16.1'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

8-45”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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