KRI 考夫曼霍尔离子源应用于离子刻蚀 (IBE)
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KRI 考夫曼霍尔离子源应用于离子刻蚀 (IBE)

伯东公司为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi)中国总代理.美国霍尔离子源 离子枪 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不仅广泛应用于生产单位,且因离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性,单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 所以美国考夫曼霍尔离子源目前广泛应用于许多蚀刻制程及基板前处理制程.

客户案例: 国内某大学天文学系小尺寸刻蚀设备

  • 系统功能: 对于 Fe, Se, Te , PCCO及多项材料刻蚀工艺.
  • 样品尺寸: 2吋硅芯片.
  • 实际安装:

刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用伯东公司美国考夫曼霍尔离子源 EH400HC
离子源

离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内
离子源

离子源 EH400HC 控制单元操作                 离子源 EH400HC 实际点燃 (氩气)
离子源

对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec
离子源

对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec
离子源

霍尔离子源 EH400HC 优点:

  • 高离子浓度 (High density), 低能量(Low energy)
  • 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp)               
  • 镀膜均匀性佳
  • 提高镀膜品质
  • 模块化设计, 保养快速方便
  • 增加光学膜后折射率 (Optical index)      
  • 全自动控制设计, 超做简易
  • 低耗材成本,安装简易


    KRI 离子源简介:
    美国考夫曼公司 离子源 离子枪发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此专利授权 VEECO 生产.于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 美国考夫曼公司, 历经30年离子源 离子枪之改良及研发并取得多项专利,目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD(离子镀膜)等等应用大量使用.伯东公司为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 中国总代理
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