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霍尔离子源 eH 2000
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霍尔离子源 eH 2000

KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

型号

eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0'

  - 直径

5.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

16-45”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
•  离子辅助镀膜 IAD
•  预清洗 Load lock preclean
•  预清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

 

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