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霍尔效应测量系统 HEMS
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霍尔效应测量系统 HEMS

HEMS 霍尔效应测量系统
上海伯东英国 NanoMagnetics 仪器 HEMS 霍尔效应测量系统, 多样品实验, 非常适合材料研究等应用.

HEMS 霍尔效应测量系统特点
多样品实验, van der Pauw 4接触点 ; Hall Bar 6接触点
广泛的材料: GaAs, lnP, lnAs, Si, Ge, SiGe, HgCdTe, GaN, SiC, AIN, 金属氧化物和有机导体
非常适合于材料研究, 产品开发和质量控制
样品电阻率, 电阻率, 霍尔系数, 霍尔迁移率, 载流子浓度或电流电压特性
Windows 操作系统用于系统操作, 数据采集和分析

HEMS  霍尔效应测量系统可以测量
移动测量
载流子测量
电阻率测量
Van der Pauw 测量
Hall Bar 测量

HEMS  霍尔效应测量系统极帽
可调极帽
25mm 面钻
连续可调 0-1, 30mm 的极隙
可选 50mm, 75mm 更大的钻心

电磁铁:
±2.ST@ I 0mm 间隙与 25mm 杆面
±35V, ±70A 线圈
磁场 > ±IT @ 25mm 极隙
磁场强度高, 磁极间距大
串联线圈电阻: 0.5 0 ( 20℃ )
水冷

HEMS  霍尔效应测量系统样品台:
弹簧加载设计选项
Van der Pauw 设计测量
四、六、八触点厅杆测量设计
容易安装样品与弹簧销
多个样品安装

 

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