普发氦质谱检漏仪

KRi 射频离子源典型应用: 12英寸, 8英寸 IBE 离子束刻蚀系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源  RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE  离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200 mm 硅片蚀刻, 刻蚀 均匀性（1 σ）达到< 1%. KRi 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的宽束离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!  

客户案例: 12英寸 IBE 离子束蚀刻机安装 KRi 射频离子源
KRi 离子源工作过程: 气体通入离子源的放电室中,  电离产生均匀的等离子体, IBE系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.


 

由于等离子体的产生远离晶圆空间, 起辉不受非挥发性副产物的影响.
这种物理方案, 栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制, 提升了工艺可控性
通过载片台的角度调整, 实现离子束倾斜入射, 可用于特殊图案的刻蚀, 也适用于侧壁清洗等工艺.
蚀刻多层时不需要化学优化, 一般工艺通氩气, 也可通活性气体.



KRi 射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频 2kw & 1.9 ± 0.2 MHz	RF 射频 2kw & 1.8 MHz
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯东同时提供IBE 离子蚀刻系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的蚀刻系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国  KRi 考夫曼离子源中国总代理.

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