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KRi 射频离子源 Gridded RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能.
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

离子源       霍尔离子源                                       射频离子源                                  考夫曼离子源                              离子源中和器

KRi 射频离子源 RFICP 系列

KRi 射频离子源 RFICP 系列 产品详细资料

射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

离子源型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

22 cm Φ

38 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

射频离子源 RFICP 380

射频离子源 RFICP 380 产品详细资料

大口径射频离子源, 3层栅极设计, 离子源栅极口径 30cm, 满足 300 mm (12英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 380

100-1200 V

>1500 mA

38 cm Φ

平行, 聚焦, 散射

射频离子源 RFICP 220

射频离子源 RFICP 220 产品详细资料

高能量射频离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 满足 200 mm (8英寸) 晶圆应用

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 220

100-1200 V

>1000 mA

22 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 140

射频离子源 RFICP 140 产品详细资料

紧凑设计离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 140

100-1200 V

>600 mA

14 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 100

射频离子源 RFICP 100 产品详细资料

适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >350 mA 离子流.

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 100

100-1200 V

>350 mA

10 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频离子源 RFICP 40

射频离子源 RFICP 40 产品详细资料

RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内

型号

离子束动能

最大离子束流

栅极直径

离子束流形状

RFICP 40

100-1200 V

>100 mA

4 cm Φ

平行,聚焦,散射

射频等离子体源 RF2100ICP

射频等离子体源 RF2100ICP 产品详细资料

射频等离子体源 RF2100ICP, 通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束

型号

离子束动能

最大离子束流

等离子尺寸直径

离子束流形状

RF2100ICP

5-50V

> 500mA

14cmφ

散射
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