离子蚀刻机离子束刻蚀机 20IBE-C

离子束刻蚀机 20 IBE-C
阅读数: 7201

离子束刻蚀机 20 IBE-C
上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 20 IBE-C, 适用于中等规模的实验室研究, 满足3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蚀. 采用自研公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%. 离子束刻蚀机 20 IBE-C 可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 20 IBE-C 基本参数

型号	20 IBE-C	φ4 inch X 6片	可选
应用	中等规模的实验室研发
内置	考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片(可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O₂, N₂
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子束刻蚀机 20 IBE-C 组成

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

离子刻蚀机

离子蚀刻机

离子束刻蚀机推荐刻蚀应用

类别	器件	刻蚀材料
磁性器件	自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
传感器 MEMS	铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射频器件	射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光电子	激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

若您需要进一步的了解离子束刻蚀机 IBE 详细信息, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-975-571-910
qq: 2821409400

其他产品

普发氦质谱检漏仪

产品搜寻

离子束刻蚀机 20 IBE-C
阅读数: 7201