上海 Hakuto 离子束刻蚀机 IBE
Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.
自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
离子束刻蚀机 IBE
适用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件等刻蚀工艺, 满足研发和量产需求
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型号 |
4 IBE |
7.5 IBE |
16 IBE |
20 IBE-C |
MEL 3100 |
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样品数量尺寸 |
4”φ, 1片 |
4”φ, 1片 |
6”φ, 1片 |
4”φ, 6片 |
3”φ-6”φ,1片 |
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均匀性 |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
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