考夫曼离子源 KDC 40
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考夫曼离子源 KDC 40

KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号

KDC 40

阳极

DC 直流

阳极功率

100W

最大离子束流

>100mA

电压

100-1200V

气体

惰性和反应气体

进气流量

2-10sccm

压力

<0.5m Torr

离子光学(自对准)

OptiBeamTM

离子束直径

4cm Φ max

栅极

钼和石墨

离子束形状

聚焦, 平行, 散射

高度

16cm

直径

9cm


KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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