离子蚀刻机 4 IBE
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离子蚀刻机 4 IBE

离子束刻蚀机 4IBE
上海伯东日本原装进口小型 4英寸离子蚀刻机,适用于科研院所, 实验室研究, 干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件等

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵旋片泵
7. 刻蚀机设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程

4英寸离子蚀刻机主要参数

型号

4IBE

样品数量尺寸

φ4” X1

离子束入射角度

0~± 90

离子源

考夫曼离子源

极限真空度 Pa

≦1x10-4

Pfeiffer 分子泵抽速 l/s

350

均匀性

≤±5%


离子刻蚀机

离子蚀刻机

离子刻蚀机

伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

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