射频等离子体源 RF2100ICP
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射频等离子体源 RF2100ICP

射频等离子体源 RF2100ICP Plasma Source
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射频等离子体源及配套控制器, RF2100 等离子体放电, RFICP 在 2MHz, 电子自动匹配, 固定匹配网络. 离子源 RF2100ICP 适用于预清洁, 氧化和氮化处理, 辅助沉积, 以及各类半导体材料, 磁性金属等的制备.

KRi RF2100 ICP 射频等离子体源特性
通过 RFICP 放电激活等离子体: 产生 100% O₂, N₂ 反应等离子束
宽束发散等离子束(准中性): 大出口平面孔径, 提高覆盖范围和均匀性
输出低能量离子: 最大限度地减少衬底损坏
无提取栅网: 减少复杂性, 降低维护成本和潜在污染源
可靠的等离子点火电路: 专用电子源仅在等离子体启动时开启
离子源自动控制和调节: 自动排序和射频阻抗匹配
无水冷却: 消除真空中水泄漏的风险
适用于不同的轰击距离: 一般为 15 至 45厘米
等离子体源 RF2100 ICP Plasma Source

KRi RF2100 ICP 射频等离子体源参数

Dishcharge

电感耦合

RF discharge power

600W

输出电流

> 500mA (取决于功率,压力和气体)

通 Ar 能量范围

5-50V (取决于功率和压力)

等离子尺寸@源打开

14cmφ

离子束形状

发散

点火

电子源

气体

Ar, O₂, N₂, H₂/Ar blend

压力

0.5-10mTorr (取决于气体种类)

气体流量

5-60sccm (取决于抽速, 气体, 压力和功率)

冷却

无水冷却

一般高度

9.25” (23.5cm)

直径

7.675” (19.5cm


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.


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