KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀
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KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀

离子源应用于离子刻蚀 IBE
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用更久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
样品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC
上海伯东离子源 EH400HC
霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内
上海伯东美国考夫曼离子源
离子源 EH400HC 自动控制单元
上海伯东美国考夫曼离子源控制器
霍尔离子源 EH400HC 通氩气
离子源通氩气
对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec
上海伯东考夫曼离子源蚀刻速率
对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec
上海伯东美国离子源蚀刻速率

鉴于信息保密. 更详细的离子源应用欢迎拨打客服热线:021-5046-3511

霍尔离子源 EH400HC 特性:
高离子浓度, 低离子能量
离子束涵盖面积广
镀膜均匀性佳
提高镀膜品质
模块化设计, 保养快速方便
增加光学膜后折射率 (Optical index)      
全自动控制设计, 操作简易
低耗材成本, 安装简易

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.


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上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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