离子蚀刻机 10 IBE
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离子蚀刻机 10 IBE

离子蚀刻机 10 IBE
上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.

基板尺寸

φ4 X 1wfr

 NS 离子刻蚀机检测器可选

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100



离子蚀刻机 10IBE 组成:
NS 离子刻蚀机

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵旋片泵
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程
 

离子刻蚀机

离子蚀刻机

离子刻蚀机

伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

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