普发氦质谱检漏仪

离子束刻蚀机 10 IBE
上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 10 IBE, 适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀. 离子束刻蚀机 10 IBE 可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 10 IBE 基本参数

型号	10 IBE	可选
应用	实验室研发,占地面积小
内置	考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O2, N2
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

 

离子蚀刻机 10IBE 组成：

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 机台设计使用半自动化(手动放置样品)操作流程

上海伯东离子束刻蚀机可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺. 伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!

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