普发氦质谱检漏仪

硬 X射线光电子能谱仪 GENESIS 900
上海伯东代理的硬 X射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 900, 与传统的 XPS（软X射线光电子能谱）相比, 硬 X射线光电子能谱仪 HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析.

硬 X射线光电子能谱仪 GENESIS 900 特点
易操作式多功能选配附件
全自动样品传送停放
高性能大面积和微区 HAXPES 分析
快速精准深度剖析
为电池, 半导体, 有机器件以及其他各领域提供全面解决方案
可聚焦≤ 5µm 的微区 X 射线束斑

在 PHI GENESIS  900 中,聚焦扫 描X射线源可以激发二次电子影像（SXI）,利用二次电子影像可以进行导航, 精准零误差定位, 多点多区域同时分析测试以及深度剖析
大幅提升的二次电子影像(SXI) 二次电子影像(SXI)米精准零误差定位, 保证了所见即所得.卓越的 5 um X射线束斑为微区 XPS 分析应用提供了新的机遇.

硬 X射线光电子能谱仪 GENESIS 900 应用案例
电池
" LiPON / LiCoO₂ 横截面的 pA-AES Li 化学成像”
Li 基材料例如 LiPON, 对电子束辐照敏感
PHI GENESIS 900 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取 AES 化学成像


有机器件: 使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GClB 测量能带结构
(1) Cso 薄膜表面
(2) Cso 薄膜表面清洁后
(3) Co 薄膜/Au 界面
(4) Au 表面通过 UPS / LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构.


半导体: 半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成, 它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析. 为了从深层界面获取信息, 例如栅极氧化膜下的 GaN, 使用 HAXPES 是非常有必要的.

微电子: 微小焊锡点分析
HAXPES 分析数据显示金属态 Sn 的含量高于 XPS 分析数据, 这是由于 Sn 球表面被氧化, 随着深度的加深, 金属态 Sn 的含量越高, 正好符合 HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点.

什么是硬 X射线光电子能谱 HAXPES

硬X射线光电子能谱 HAXPES 是一种先进的表面分析技术, 主要用于研究固体样品的表面电子结构和化学态. HAXPES 利用高能 X射线（例如 CrKα射线, 能量为 5414.7eV）激发样品表面的电子. 通过测量这些电子的能量分布, 能够获得关于样品表面的化学成分和电子结构的详细信息. 与传统的 XPS（软X射线光电子能谱）相比, HAXPES 具有更深的探测深度, 通常可达约 30nm, 适用于多层薄膜, 半导体光电器件等样品的无损深度分析.

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