普发氦质谱检漏仪

俄歇电子能谱仪 AES 
上海伯东代理 ULVAC-PHI 俄歇电子能谱仪 PHI 710 适用于半导体器件, 微电子器件和材料科学等研究. SEM 像空间分辨率 ≤3 nm,  AES 成分像空间分辨率 ≦8nm.

俄歇电子能谱仪 PHI 710 基本参数

SEM 像空间分辨率( 25kV )	≤3 nm
AES 空間分辨率( 20kV 1nA)	≦ 8nm
灵敏度	900 kcps ( CuLMM ) @ 10 kV, 10 nA
SEM 放大倍率	x45 (加速电压:3kV) 至 x 1,000,000
样品台可变动范围	X,Y 轴各±25 mm
离子枪加速电压	0 至 5 kV 可变
离子枪光栅面积	最大 4 mm x 4mm
极限真空	6.7 x10-8 Pa 以下
重量	主机重量 1,100 kg, 电子控制柜重量 250 kg, 隔音罩重量 820 kg
电力	200-230V 交流, 单相 50A, 50/60Hz

选配: 6个样本泊放装置, 样品冷却断裂装置, EBSD, 背散射电子探测器, 能量色散谱仪 (EDS) 等

俄歇电子能谱仪 PHI 710 特性
1.使用 CMA 同轴分析器, 同时实现高灵敏度和高传输率. 即使在低电流高空间分辨率情况下, 都可轻松的进行分析.
2. 以 20kV 加速电压和电流 1nA 进行俄歇分析, AES 空间分辨率可达 ≦8nm.
3. 在拥有所有 CMA 优点的同时, 并结合获得 AVS (美国真空协会) 设计奖的高能量分辨率功能, AES 可以进行各种纳米级区域的化学态分析.
4. Windows 兼容的简易操作和功能强大的数据处理软件
 

俄歇分析通过 SEM 观察确定分析位置, 再进行采谱, 成分分布成像和深度剖析. 在 SEM 观察时需要细小的聚焦电子束斑, 同时进行俄歇分析, 需要非常稳定的电子束. SEM 成像分辨率可达 3纳米左右, PHI 710 使用低噪声电源 (图1), 采用隔音罩以减小振动, 声音, 和温度的影响, AES 分析时分辨率可达到 8nm以下(20 kV1nA). 图2案例: 球墨铸铁断面中晶间杂质的分析. 从左图所示:二次电子像, 在图2中从左到右的影像所示分别为 Ca(蓝色) Mg(绿色) Ti(红色)俄歇成分像, 叠图以及S的俄歇成分分布像, 表明了 AES 纳米级微区的化学分析能力.

俄歇电子能谱仪 PHI 710 应用案例

比较分析形态复杂的样本 图4比较 CMA 和传统 SCA 所采集的球状样品的 SEM成像, 以及俄歇成分影像, SCA 中俄歇成分图的阴影效果非常明显, 而 CMA 在360°收集讯号的能力下所获得的 SEM 像和俄歇成分像可准确地反映真实结果.

 

PHI710 AES 成分像, 每个像素点对应的图谱可对元素存在的化学态进行解析和进阶的化学态成像. 高能量分辨率 图5显示半导体芯片电极 Si KLL的高能量分辨成分分布图. 由Si KLL谱进行最小二乘法拟合(LLS)得出三个主要成分分别为单质硅, 氮氧化硅, 硅化物, 从而可把这三种不同化学态的硅单独输出成像分布图.

什么是俄歇电子能谱仪 AES
AES (Auger Electron Spectroscopy) 是利用电子束电离激发原子内层电子, 探测退激发过程出射的俄歇电子, 获得样品表面的组成及化学性质的分析方法. AES 不仅表面灵敏, 而且具有纳米级的空间分辨率, 因此广泛应用于半导体器件, 微电子器件和材料科学等研究.

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