上海 磁控溅射镀膜机 Sputter
上海伯东代理 SYSKEY 矽碁各类电子束蒸镀, 溅射镀膜机, 蒸发镀膜机, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam 等设备, 满足研发和工业生产的高质量薄膜要求
溅镀沉积为一种物理气相沉积 PVD方法, 通过从靶材溅镀出材料, 然后沉积至基板上来形成薄膜. 在这种技术中, 大多使用氩气或氮气等离子轰击靶材, 并将基板以适当的距离放置在靶材的前面. 由于碰撞的动量, 离子中的正离子将以很高的速度轰击靶材. 这些颗粒以薄膜的形式沉积在基板表面上. 根据靶材的不同, 可以适当调整溅镀枪的功率, 例如用于导电靶材的直流电源和用于非导电靶材的射频电源.
如今, 溅镀沉积制程已成为一种在半导体, LCD 面板, 太阳能面板和光学组件等许多应用中的核心技术, 其薄膜的均匀性和大规模的商业效率比热蒸发材料方法更为重要. 上海伯东代理的磁控溅射镀膜机广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池, 科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
磁控共溅镀设备 Co-Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
适用于氧化物, 氮化物和金属材料的研究
超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
腔体的极限真空度约 10-10 Torr
多层膜磁控溅镀设备 Multilayer Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源（最多6个源）, 靶材尺寸多种可选
基板可加热到 600°C
腔体的极限真空度约 10-8 Torr
连续式多腔磁控溅镀设备 In-Line Sputter
客制化基板尺寸最大为 1100 x 1300 mm2 （玻璃）
薄膜均匀度小于 ±5％
高沉积速率 ≥ 250nm/min 和阴极
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C
