磁控共溅镀设备 Co-Sputter
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磁控共溅镀设备 Co-Sputter

上海伯东代理磁控共溅镀设备 Co-Sputter
上海伯东代理的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 加装美国 KRI 离子源, 为客户提供品质保证的复合式薄膜, 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池等行业以及氧化物, 氮化物和金属材料的研究等.

上海伯东磁控共溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达12寸晶圆.
优异的薄膜均匀度小于±3%
磁控溅镀源(最多8个源), 靶材尺寸多种可选
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电与导电靶材
精准流量控制器(最多4条气体管线)
基板可加热到 1000°C.
基材到靶材之间距可调节
每个溅镀源和基板均安装遮板.
腔体的极限真空度约 10-8 Torr

磁控共溅镀设备 Co-sputter

溅镀腔中, 在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.


安装美国 KRI 离子源: 上海伯东代理美国 KRI 离子源可用于基板清洁和加速镀膜材料的溅射速率, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.

磁控共溅镀设备 Co-sputter


磁控共溅镀是指同时有两个或多个磁控溅镀枪, 溅镀于被镀物上. 磁控共溅镀主要用于复合金属或复合材料, 通过分别优化每一支磁控溅镀枪(靶材)的功率来控制薄膜品质, 其薄膜厚度取决于溅镀时间.

若您需要进一步的了解上海伯东磁控共溅镀设备 Co-sputter, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
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